Memoria Ram Kingston KVR13S9S8 4GB DDR3 1333MHZ SODIMM

Memoria Kingston Value Ram KVR13S9S8/4 capacidad 4GB tipo DDR3 - 1333 MHZ SODIMMDescripciónEste documento describe el 512M x 64-bit (4GB) de ValueRAM DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM síncrona), memoria 1Rx8 módulo, basado en ocho componentes FBGA DDR3-1333 de 512 M x 8 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC Tiempo DDR3-1333 de 9-9-9 a 1.5V. Este SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro.Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:CL (IDD) 9 ciclosTiempo de ciclo de fila (tRCmin) 49.5ns (min.)Actualizar a Activo / Actualizar 260ns (min.)Tiempo de comando (tRFCmin)Tiempo activo de fila (tRASmin) 36ns (min.)Potencia (en funcionamiento) 1.980 W *Clasificación UL 94 V - 0Temperatura de funcionamiento 0oC hasta 85oCTemperatura de almacenamiento -55o C a + 100oC* La potencia variará según la SDRAM utilizadaCaracterísticas• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)• VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)• 667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin• 8 bancos internos independientes• Latencia CAS programable: 9, 8, 7, 6• Latencia aditiva programable: reloj 0, CL - 2 o CL - 1• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)• Precarga de 8 bits• Longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin ningún límite, secuencial condirección de inicio "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que noPermitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando A12 oSEÑORA]• Estroboscópico de datos diferenciales bidireccionales• Autocalibración interna: Autocalibración interna a través de ZQpin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)• En la terminación del troquel usando el pin ODT• Período de actualización promedio 7.8us por debajo de TCASE 85 ° C,3.9us a 85 ° C